MHYVP屏蔽通信电缆

　　核心词：MHYVP 通信 电缆 
　　1、它不仅具有功率场效应晶体
　　绝缘栅双极晶体管是一种新型的电力半导体器件,它既具有功率场效应晶体、管高速、高输入阻抗的特性,又具有双极达林顿晶体管饱和电压低、电流大、反压高的特性。
　　2、在电力电子技术中发挥了重要作用
　　这种器件在1982年由美国RCA与GE公司试制成功,后经美国IR公司、欧洲SGS公司和菲利浦公司、日本东芝、富士电机、日立公司等的改进,于80年代末实现了商品化,自此其应用技术日趋成熟,在电力电子技术中扮演了重要角色。
　　3、因为它有一个p发射区
　　它是在功率MOSFET的基础上发展起来的,他与功率MOSFET不同之处在与多了一个p+发射区,由该区引出IGBT的漏极(或称集电极),这样IGBT就比MOSFET多了一个PN结。IGBT的栅极和源极的引出处与功率MOSFET相同。
　　4、从IGBT的结构可以得到其等效电路
　　从IGBT的结构可相应得出它的等效电路,MHYVP屏蔽通信电缆由于非对称型IGBT加入的N+区紧靠N-区都是N区,只是参杂浓度不同,所以两种不同类型的IGBT其等效电路是相同的。它们都由三个结,MHYVP屏蔽通信电缆半导体类型的层次也相同。
　　5、其导通和关断必须与MOSFET相同
　　IGBT既然是以MOSFET为驱动元件和双极晶体管为主导元件的复合器件,它的开通、关断就必然与MOSFET相同,MHYVP屏蔽通信电缆矿用通信电缆是由栅极电压来控制的。
　　6、在MOSFET中形成沟道并为双极晶体管提供基极电流
　　栅极加正电压时,MOSFET内形成沟道并为双极晶体管提供基极电流,进而使IGBT导通,此时从发射区注入到N-区的空穴对N-区进行电导调制,减少N-漂移区的电阻RMOD。使高耐压的IGBT也具有低导通电压特性。
　　7、MOSFET的沟道消失
　　IGBT栅极上施加负电压时,MOSFET的沟道消失,PNP晶体管被切断,IGBT即处于关断状态。由此可见,IGBT的驱动原理与MOSFET管基本相同。

　　8、IGBT具有较高的电流传输容量
　　由于等效双极晶体管是IGBT的主导元件,因此IGBT具有大电流传输能力。IGBT的结构与功率MOSFET极为相似,所不同的是前者先用p+作衬底,然后再上面生长n+,n-型漂移层,再使用与后者相似工艺在漂移层上制作功率MOSFET。IGBT能用非常高的输入阻抗来进行电压控制,且具有高的正向导通电流密度。
　　9、还发现IGBT的导通压降随着温度的升高而增加
　　另外,还发现IGBT的导通态电压降随温度的增加而增大,这样就允许器件并联,并使在每个器件中有良好的电流分布。IGBT是上世纪80年代初研制成功,并在其性能上,经过几年的不断提高和改进。已成熟地应用于高频大功率领域。它将MOSFET的电压控制、控制功率小、易于并联、开关速度高的特点和双极晶体管的电流密度大、电流处理能力强、饱和压降低的特点集于一身,表现出高的特点和双极晶体管的电流密度大、电流处理能力强、大电流、高频率等优越的综合性能。IGBT主要用于逆变器、低噪音电源、UPS不间断电源以及电动机变频调速等领域。IBGT的用途非常广泛,小到变频空调、静音冰箱、洗衣机、电磁炉、微波炉等家用电器。大到电力机车牵引系统都离不开它。IGBT在军事机载、靓载、雷达等随动系统中也有广泛的用途,目前,国内IGBT产品依赖进口。国外IGBT产品已大量生产。而国内IGBT还处于研制阶段。与国外相比,IGBT的制造工艺技术至少落后十年,IGBT的国产化形势相当紧迫。因此,开展IBGT的研发工作对我国国民经济和国防工业的发展具有十分重要的意义。
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